제품 설명
이온 이식은 현대 집적 회로 제조에서 매우 중요한 기술로, 이온 이식 기계를 사용하여 반도체 도핑을 달성합니다. 텅스텐 와이어를 음극으로 사용하여 전자를 방출하여 특정 불순물 원소가 포함된 가스 분자를 폭격하여 정전기장에 의해 가속되어 실리콘 단결정 웨이퍼 표면에 부딪히는 이온화된 특정 불순물 원자를 생성한 다음 반도체에 이식하여 전도도 특성을 변경하고 궁극적으로 트랜지스터 구조를 형성합니다.
텅스텐 몰리브덴 재료의 안정적인 고온 화학적 특성, 작은 열 변형 및 긴 사용 수명으로 인해 반도체 산업의 이온 이식 기계의 이온 소스 구성 요소 및 소모품은 대부분 텅스텐 및 몰리브덴 재료로 만들어집니다. 이러한 장치에는 전자 음극을 방출하는 차폐 튜브, 방출 패널, 중앙 고정 막대 및 아크 챔버의 와이어 플레이트가 포함됩니다. 우리는 이를 이온 이식용 텅스텐 부품 및 이온 이식용 몰리브덴 부품이라고 통칭합니다.
사양
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모델 번호 |
Mo 이온 이식 예비 부품 |
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모양 |
맞춤형 |
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재료 |
몰리브덴,텅스텐 |
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화학성분 |
여,모 |
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제품 이름 |
Mo 이온 이식 예비 부품 |
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재료 |
텅스텐/텅스텐 합금 |
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청정 |
99.95% 최소 |
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모양 |
그림으로 만들어지다 |
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애플리케이션 |
이온 이식 |
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밀도 |
10.2g/cm3,19.2g/cm3 |
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표면 |
우아한 |
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자격증 |
ISO 9001 및 ISO14001 |
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다른 이름 |
몰리브덴 부분 |
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